2FHC06M33XX• 最高支持4并联
• 支持最高3300V SiC模块
• 数字控制方式
• 抖动时间 ≤ 5ns
• 隔离NTC采样
• 米勒钳位
• 短路保护 (软关断)
• 智能故障管理
• 支持最高3300V SiC模块
• 数字控制方式
• 抖动时间 ≤ 5ns
• 隔离NTC采样
• 米勒钳位
• 短路保护 (软关断)
• 智能故障管理
| 产品 | 最大击穿电压 | 通道数 | 三防漆？ | 驱动模式 | 门极峰值电流（最大） | 门极关断电压 | 接口类型 | 保护功能 | 输入逻辑电压 | 最大开关频率 | 门极开通电压 | 支持的模块种类 | 支持的拓扑 | 输出功率/单通道（最大） | 并联支持 | 供电电压（典型值） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2FHC06M33XX | 3300V | 2 | 可选择 | 直接/半桥 | / | -4V~-2V | 电口 | 软关断，欠压保护，米勒钳位，隔离NTC采样，智能故障管理 | 15V | 100kHz | 15~20V | SiC | 两电平 | 6W | 1~4 | 15V/24V |
产品信息
产品详情
2FHC06M33XX 驱动核专为 3300V Linpak/XHP-2/LV100 SiC MOSFET 而设计，导通状态下栅极正电压为 15~20V，栅极负电压为 -2~-4V。
The 2FHC06M33XX 具有双通道电气接口，支持两电平拓扑。
2FHC06M33XX 是基于 Firstack 智能芯片技术开发的高性能双通道 SiC/IGBT 栅极驱动器核，可灵活匹配 1~4 个 SiC/IGBT 模块。整体架构由一个 MCC（绝缘主控板）和多个 MAB（模块适配栅极驱动板）单元组成，MCC 和 MAB 通过一组电缆连接。
结构紧凑，高度集成
用于Linpak/XHP-2/LV100 SiC MOSFET的驱动核
双通道
栅极正压15~20V
栅极负压-2~-4V
最高环境温度下每通道 6W 输出功率
电气接口
运行温度为-40°C 至 85°C
隔离NTC采样
保护功能
短路保护 (软关断)
欠压保护
米勒钳位
智能故障管理